全球存储芯片市场近期表现强劲，存储创下历史新高。芯片续至根据瑞银集团（UBS）7月发布的缺口《存储芯片月度报告》，该月销售额达到创纪录的将持 746亿美元，环比大幅增长 31.7%，存储市场热度遥遥领先。芯片续至
瑞银指出，缺口在人工智能（AI）需求持续爆发及长期供应协议（LTA）谈判推进的将持双重作用下，存储芯片市场周期正“进一步趋强”。存储受此影响，芯片续至结构性供应短缺的缺口局面预计至少将持续至 2028年中期。
细分市场表现：DRAM与NAND双轮驱动
整体市场的将持繁荣背后，主要细分领域均呈现显著增长态势：
- DRAM（动态随机存取存储器）：占据内存市场主导地位，存储销售额约为 480亿美元，芯片续至环比增长 27.7%。缺口
- NAND闪存：表现尤为亮眼，销售额创下 258亿美元的历史新高，环比飙升 40.7%。
作为固态硬盘（SSD）和数据中心存储的核心介质，NAND闪存的需求随着AI训练和推理工作负载的激增而呈爆炸式增长。
未来营收预测：2027年有望翻倍
瑞银对行业长期收入持乐观态度，预测数据如下：
- 2026年：存储芯片行业全年总收入预计达到 9920亿美元。
- 2027年：总收入预计将接近翻倍，达到 1.76万亿美元。
核心驱动力：高带宽内存（HBM）
推动这一增长的关键动力来自专用于AI加速器（如英伟达GPU）的 高带宽内存（HBM）。瑞银预测HBM需求将呈现爆发式增长：
- 2026年：需求同比增长 90%，达到约 331亿Gb。
- 2027年：需求再增长 77%，达到约 587亿Gb。
受益厂商与价格趋势
主要受益者
内存价格上涨周期的最大受益者为占据全球DRAM和NAND闪存绝大部分供应份额的三大巨头：
1. 美光科技（Micron）
2. 三星电子（Samsung）
3. SK海力士（SK Hynix）
价格预测上调
瑞银上调了后续季度的价格预测，认为云计算公司对AI基础设施的持续投资将支撑内存需求，加剧结构性供应不足：
- DDR合约价格：
- 2026年第三季度：环比上涨 32%
- 2026年第四季度：环比上涨 18%
- NAND闪存价格：
- 第三季度：预计上涨 30%
- 第四季度：预计上涨 12%
瑞银强调，至少在 2028年第二季度之前，DRAM行业仍将面临结构性供应短缺。这主要源于需求增速远超供应增速：预计2027年需求同比增长 36.2%，而供应同比增长仅为 19.3%。
潜在风险因素
尽管前景看好，瑞银也坦率指出了可能动摇看涨观点的主要风险：
“客户的承受能力以及人工智能相关资本支出的可持续性，仍然是这一前所未有的上行周期面临的主要风险。”
该行指出，超大规模数据中心运营商的后续支出能力（而非单纯的供应量）才是决定市场走向的关键变量，这也是目前难以完全通过模型预测的因素。