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【核心突破:超薄芯片稳定堆叠,集成密度实现跨越式增长】据财联社7月14日报道,韩国工业技术研究所KIST)与浦项科技大学POSTECH)的研究团队联合开发出一项创新的芯片堆叠新工艺。该技术成功实现了1

科学家开发出芯片堆叠新工艺 将高带宽存储器集成密度翻两番

核心突破:超薄芯片稳定堆叠,科学宽存集成密度实现跨越式增长

据财联社7月14日报道,家开集成韩国工业技术研究所(KIST)与浦项科技大学(POSTECH)的发出翻两番研究团队联合开发出一项创新的芯片堆叠新工艺。该技术成功实现了10余片超薄半导体芯片的芯片新工稳定堆叠,其集成密度达到商用高带宽存储器(HBM)的堆叠约4倍。

这一技术突破有望显著缓解当前人工智能(AI)领域面临的高带存储带宽与容量瓶颈,为高性能计算提供更强有力的储器硬件支持。相关研究成果已正式发表于最新一期《工程成果》(Engineering Results)杂志。密度

科学宽存

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